太克推出S540功率半導體測試系統

太克(Tektronix)近期宣布推出Keithley S540功率半導體測試系統,這是為高達3kV的功率半導體裝置和結構,提供的全自動48針腳參數測試系統。完全整合的S540是專為與最新複合功率半導體材料,包括碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN),搭配使用而進行最佳化處理,可在一次探頭接入中執行所有高壓、低壓和電容等測試。 ...
2016 年 11 月 08 日

羅姆與Venturi電動賽車車隊締結技術夥伴

羅姆(ROHM)宣布與Venturi電動方程式賽車車隊(Venturi Formula E Team),締結為期3年的技術夥伴契約,該車隊長期參與FIA電動方程式賽車錦標賽。自10月9日開幕的第3季起,羅姆將提供功率半導體元件–碳化矽(SiC)功率元件,運用在賽車馬力核心的變流器中,協助賽車小型化、輕量化和高效率化。 ...
2016 年 10 月 21 日

英飛凌購併Wolfspeed 拓展車用/能源應用商機

英飛凌(Infineon)與科銳(Cree)宣布,英飛凌將以高達8.5億美元現金收購科銳旗下Wolfspeed功率與射頻(RF)部門部門,其中,包含功率與射頻功率相關的矽(SiC)晶圓基板事業。此次的併購案將使英飛凌提供更廣泛的化合物半導體及其電源管理晶片解決方案,包含電動車、再生能源,以及與物聯網相關的下一代蜂巢式基礎設備。...
2016 年 07 月 20 日

英飛凌1200V SiC MOSFET增進功率轉換效率

英飛凌(Infineon)宣布推出SiC(碳化矽)MOSFET技術,讓產品設計達到較佳的功率密度和效能水平。該公司的CoolSiC MOSFET在提升效率與頻率上,提供更高的靈活度,協助功率轉換配置的開發人員達到節省空間和重量、減少冷卻需求、提升可靠性並縮減系統成本。 ...
2016 年 05 月 16 日

鎖定LED照明應用 晶電GaN-on-Si晶片量產在即

晶元光電氮化鎵(GaN)布局再下一城。繼年初取得德國ALLOS Semiconductors矽基氮化鎵(GaN-on-Si)的技術授權後,晶元光電即將於近期投產GaN-on-Si晶片,目標鎖定發光二極體(LED)照明市場。另外,該公司也正積極研發GaN-on-GaN技術,將瞄準600伏特(V)以上的功率元件應用,以取代MOSFET、IGBT等矽功率元件。 ...
2015 年 12 月 10 日

收購國際整流器 英飛凌壯大功率半導體版圖

英飛凌(Infineon)日前豪擲30億美元購併國際整流器(IR),創下該公司有史以來最高收購金額,藉此接收國際整流器先進的氮化鎵(GaN)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)等功率半導體產品線、核心技術及銷售通路,強化在各種功率半導體應用領域的市場地位。 ...
2014 年 08 月 22 日

科銳發表商用50安培SiC整流器系列

科銳(CREE)推出新型CPW5 Z-Rec高功率碳化矽(Silicon-carbide, SiC)蕭特基二極體產品,為可商用的50安培(A)SiC整流器系列。新型二極體專為在50千兆瓦(kW)~1兆瓦(MW)的高電力系統中使用SiC技術,提供成本降低、效率提升、系統簡化以及高可靠度的優勢,能實現嚴苛要求,包括太陽能/太陽能光電轉換器(PV...
2014 年 03 月 17 日

ST推出650V碳化矽二極體

意法半導體(ST)的新雙管配置碳化矽(SiC)蕭特基二極體(Schottky Diode)是市場上同類產品中首款每支管子額定電壓650伏特(V),且可選共陰極(Common-cathode)或串列(Series)配置的整流二極體產品,可用於交錯式(Interleaved)或無橋式(Bridgeless)功率因數校正(PFC)電路。 ...
2014 年 02 月 07 日

快捷技術長榮獲ISPSD貢獻獎

快捷半導體(FAIRCHILD)技術長Dan Kinzer於2013年第二十五屆功率半導體器件與積體電路國際會議(ISPSD)榮獲「ISPSD貢獻獎」。 ISPSD貢獻獎於2001年ISPSD會議上設立,旨在頒發給在拓展技術領域上有傑出貢獻之人。值此紀念ISPSD...
2013 年 07 月 26 日

PV逆變器應用增溫 SiC功率元件後勢看漲

碳化矽(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統矽功率半導體,提供更高的電源轉換效率,更可減少所需的電容和感測器數量,已吸引愈來愈多太陽能逆變器製造商青睞。
2013 年 06 月 24 日

科銳發表新型SiC功率模組

科銳(Cree)發表45毫米(mm)封裝的商用化碳化矽(SiC)六單元(Six-pack)功率模組。在相同矽模組額定電流值下,科銳的六單元碳化矽模組可降低功率損耗達75%,散熱片尺寸可以立即減少70%或提高功率密度50%。新型六單元SiC功率模組能擺脫傳統上對功率密度、效率及成本等設計上的限制,協助設計人員實現高性能、高可靠度及成本更低的功率轉換系統。與尖端技術的矽模組比較起來,1.2千伏特(kV)、50安培(A)的SiC模組所提供的性能等同於額定電流為150安培的矽模組。 ...
2013 年 05 月 20 日

GaN-on-Si陷膠著 GaN-on-GaN LED趁勢崛起

氮化鎵對氮化鎵基板(GaN-on-GaN)發光二極體(LED)聲勢看漲。GaN-on-GaN LED毋須克服讓矽基氮化鎵(GaN-on-Si)LED研發人員頭痛的晶格、熱膨脹係數等問題,加上GaN基板技術迭有突破,價格下滑可期,因而逐漸成為備受矚目的LED基板替代方案。 ...
2013 年 05 月 08 日