瞄準PV/EV　晶片商布局寬能隙功率半導體

看準太陽能、電動車(EV)等高利潤利基型應用後勢潛力無窮，英飛凌(Infineon)、意法半導體(ST)、國際整流器(IR)、快捷(Fairchild)等半導體大廠已緊鑼密鼓地砸下重金展開藉由碳化矽(SiC)、矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)寬能隙化合物半導體開發功率元件計畫，將使寬能隙功率半導體市場卡位戰提前開打。 ...
2011 年 07 月 27 日

下世代功率半導體競技賽開打　GaN/SiC爭搶主流寶座

基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火，近期再度升溫，尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後，更讓SiC技術聲勢大漲；面對SiC技術急起直追，已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱，正積極朝向更高電壓市場邁進。
2011 年 05 月 30 日

快捷半導體導入碳化矽技術開發創新產品

全球高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體(Fairchild Semiconductor)日前宣布收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，以擴展其技術領先地位。此舉使其可在超廣溫度範圍下有出色性能，以及優於金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(JFET)技術卓越性能的雙極SiC電晶體技術。 ...
2011 年 04 月 28 日

商用進展邁大步　SiC功率半導體前景看俏

繼科銳(Cree)於今年1月中發表業界首款商用碳化矽(SiC)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Power MOSFET)後，快捷(Fairchild)日前也宣布收購TranSiC，正式跨入碳化矽功率半導體領域；此外，包爾英特(...
2011 年 04 月 26 日

矽電源晶片效能難突破　半導體大廠布局GaN

以矽(Si)為材料的電源晶片轉換效率已達臨界點，效能突破空間有限，再加上節能減碳意識抬頭，遂使氮化鎵(GaN)趁勢崛起，已為英飛凌(Infineon)、國際整流器(IR)、快捷(Fairchild)等半導體大廠積極部署的技術，然GaN囿於物理特性，目前較適合開發高電壓產品，國際整流器即預計於2011年底前發表新品。 ...
2011 年 04 月 04 日

再生能源夯　高頻寬功率半導體行情看俏

再生能源當紅，吸引電源晶片業者趨之若鶩。日前，在英飛凌(Infineon)領軍及德國聯邦教育與研究部(BMBF)資助下，正展開高頻寬(Wideband Gap)功率半導體元件的研發，目標為在不顯著增加系統成本之下，減低電力於進入供電網絡的損耗；快捷(Fairchild)對於高頻寬功率半導體解決方案的開發，則從材料著手，欲長期投資。 ...
2011 年 01 月 31 日

強化電源戰力　英飛凌擬改12吋晶圓量產

繼德州儀器(TI)積極導入12吋晶圓廠以擴大類比市場占有率後，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12吋晶圓量產研發計畫，希望將電源晶片的生產由目前8吋廠升級至12吋廠，以因應市場持續高漲的節能需求，並鞏固既有市場地位。 ...
2010 年 12 月 27 日

天科合達實現3英寸碳化矽晶片規模化生產

天科合達於近期宣布實現了3英寸碳化(SiC)晶片的規模化生產。此前，天科合達降低了2英寸SiC晶片的銷售價格，滿足客戶對新一代大功率半導體器件的研發和商業化應用。最近天科合達已成功實現了高質量3英寸導電型SiC晶片的量產且積極擴大產能。該公司表示，其產品質量相對於美國、歐洲同類產品極具競爭性，具備極低的平均微管密度、X-射線衍射搖擺曲線半高寬小於30弧秒、電阻率及晶片加工質量滿足工業用戶需求，適合製備新一代高性能肖特基二極管、金屬半導體場效應晶體管和金屬氧化物場效應晶體管等功率元件。...
2009 年 09 月 29 日

精簡高效成電源顯學　高壓MOS攻防戰開打

高壓MOSFET在節能意識高漲的市場環境下重要性日增，而以超接面技術製造的高壓MOSFET，由於可較標準平面式MOSFET在相同單位面積內，實現更小的導通電阻，因而成為功率半導體元件業者競相布局的重點。
2009 年 04 月 03 日
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