ROHM完成收購Solar Frontier原國富工廠

羅姆(ROHM)依據與Solar Frontier簽訂的基本協議，於11月7日完成了對該公司原國富工廠的資產收購工作。 經過整修之後，該工廠將作為ROHM旗下製造子公司LAPIS半導體的宮崎第二工廠展開運營。目前計畫作為SiC功率半導體的主要生產基地並於2024年年內投產。...
2023 年 11 月 08 日

ST Tech Day展出車用/電源/物聯網/感測應用

日前意法半導體(ST)舉辦首屆ST Taiwan Tech Day，展出車用、電源、物聯網與感測四大類別解決方案。汽車產業朝向電氣化與智慧化發展，面對軟體定義汽車與架構轉換的趨勢，因此在車用處理器的效能，以及相關的智慧功能需求增加。電源領域專注於縮小功率元件尺寸、強化供電效率，因此碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)應用受到業界關注。物聯網在智慧家庭及智慧工廠方面，業界的Matter標準有助於智慧家庭裝置更廣泛的連接與應用。IO-Link則在智慧工廠中，透過管理數位輸入/輸出、感測器和電磁氣閥驅動器，提升系統的靈活性與工廠的營運效率。影像感測技術透過ToF、iToF應用，實現更加精準的3D影像辨識。...
2023 年 11 月 06 日

ROHM官網提供逾3,500種LTspice模型

近年來，在電路設計中使用電路模擬的機會越來越多，可運用的工具種類也琳瑯滿目。其中LTspice為電路模擬工具之一，其用戶包括學生到專業工程師等廣大族群。為了滿足眾多用戶的需求，羅姆(ROHM)進一步擴充了可支援LTspice的Discrete產品模型陣容。...
2023 年 10 月 30 日

格棋掌握SiC晶體成長技術　完成A輪15億台幣募資

新創公司格棋化合物半導體(GCCS)，近期完成新台幣15億元的A輪募資，並持續投資先進晶體研發與製程優化技術。其位於桃園的6吋產線已開始小規模試量產，目前正積極尋找新廠房土地，預計2024年量產。該公司為2022年成立的新創公司，著眼未來能源轉型與電動車市場之龐大商機，專注於化合物半導體長晶等，第三代化合物半導體的製程技術開發。目前格棋掌握碳化矽(SiC)單晶晶體成長技術、同時具備6吋和8吋晶體製程能力，用以生產造碳化矽晶片。...
2023 年 10 月 30 日

筑波科技11/09舉辦化合物半導體應用交流會

筑波科技將於11月9日舉辦化合物半導體應用交流會，會中由優貝克(ULVAC)、陽明交大、泰瑞達(Teradyne)、鴻海研究院、羅姆半導體(ROHM)進行演講，分享化合物半導體的技術發展及應用前景。 本活動將深入探討材料分析(MA)、故障瑕疵分析(FA)和封裝測試(FT)等議題，分享全面的整合測試解決方案。串聯業界跨域代表深入洞察市場及應用案例。...
2023 年 10 月 26 日

SiC掃平電動車里程焦慮(1)

電動車的市場接受度已經越來越高。汽車製造商繼續努力提高電動車的行駛里程並縮短充電時間，以克服這個影響電動車普及率的重要障礙。為了提高車載充電器的性能，汽車製造商正在探索採用碳化矽(SiC)等新技術。 雖然里程焦慮一直存在，但混合動力、純電動等各種形式的電動車(EV)的市場接受度已經越來越高。汽車製造商繼續努力提高電動車的行駛里程並縮短充電時間，以克服這個影響電動車普及率的重要障礙。電動車的易用性和便利性受到充電方式的顯著影響。...
2023 年 10 月 18 日

SiC掃平電動車里程焦慮(2)

電動車的市場接受度已經越來越高。汽車製造商繼續努力提高電動車的行駛里程並縮短充電時間，以克服這個影響電動車普及率的重要障礙。為了提高車載充電器的性能，汽車製造商正在探索採用碳化矽(SiC)等新技術。 車載充電器分析...
2023 年 10 月 18 日

英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場

基於碳化矽(SiC)的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌(Infineon)宣布與英飛源(INFY)達成合作，英飛凌將為英飛源提供1,200V...
2023 年 09 月 25 日

博格華納採用意法SiC技術為電動車設計功率模組

意法半導體(ST)將與博格華納合作，為其專有的Viper功率模組提供最新之第三代750V碳化矽(SiC)功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台。...
2023 年 09 月 08 日

TI助攻SiC提升再生能源系統效率

為了充分利用再生能源系統的功率輸出，在平衡成本、尺寸和可靠性的同時，將效率提升到最高也非常重要。SiC電源開關在高功率應用中具有多項優勢，使其成為太陽能和電動車充電的理想選擇。德州儀器(TI)提供針對SiC電源開關最佳化的閘極驅動器產品，這些產品遍及各種功率位準以及不同等級的整合式保護，可協助簡化SiC功率級的設計。...
2023 年 09 月 05 日

碳化矽肖特基熱性能表現佳(1)

碳化矽是一種寬能隙的材料，因此與矽類的元件相比，它可以承受更高的電壓後才崩潰，以及在高溫下承受更高的電壓。碳化矽與生俱來的更高能力使碳化矽肖特基二極體的反向擊穿電壓遠高於1,200伏特，且同時能夠在小型封裝中提供數十安培的正向電流。...
2023 年 08 月 16 日

碳化矽肖特基熱性能表現佳(2)

碳化矽是一種寬能隙的材料，因此與矽類的元件相比，它可以承受更高的電壓後才崩潰，以及在高溫下承受更高的電壓。碳化矽與生俱來的更高能力使碳化矽肖特基二極體的反向擊穿電壓遠高於1,200伏特，且同時能夠在小型封裝中提供數十安培的正向電流。...
2023 年 08 月 16 日
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