恩智浦雙極性電晶體採用LFPAK56封裝

2014 年 03 月 12 日

恩智浦(NXP)推出首款採5毫米(mm)×6毫米×1 毫米超薄LFPAK56(SOT669)表面黏著型(SMD)電源塑封的雙極性電晶體。


恩智浦電晶體產品經理Joachim Stange表示,恩智浦LFPAK封裝將成為雙極性電晶體領域精巧型電源封裝的標準,如同恩智浦LFPAK如今成為金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產業標準一樣。


新組合由六個60伏特(V)和100伏特低飽和電晶體組成,集極電流(IC)最高為3安培(A),峰值集極電流(ICM)最高為8安培。新型電晶體的功耗為3瓦(W)功率消耗(Ptot),VCEsat值也相當低,其散熱和電氣性能不僅等同較大尺寸的電源封裝(如DPAK)雙極性電晶體,且體積減少。


新設計採用實心銅夾片和集極散熱片,可大幅降低封裝的電阻和熱阻。LFPAK同時還移除市場上多數產品所用的焊線,使恩智浦得以大幅提高機械堅固度和可靠性。


該電晶體通過AEC-Q101認證,適用於多種汽車應用,最高支援175°C。新型低VCEsat電晶體還可用於背光、電機驅動和通用電源管理等應用。今年新產品還包括採用LFPAK56D封裝的雙電晶體,及採用LFPAK56封裝的6安培、10安培和15安培高電流型號。


恩智浦網址:www.nxp.com

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