東芝發表第二代碳化矽蕭特基位障二極體

2017 年 02 月 25 日

東芝半導體與儲存產品公司,近期發表第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs),該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨。

此款碳化矽蕭特基位障二極體,採用東芝第二代碳化矽的製程製造,相較第一代產品,提升了70%的湧浪順向電流,且同時降低切換損失的RON*Qc指數約30%,使其適合用於高效率的功率因素修正方案。

新產品有4A、 6A、 8A和10A四種額定電流,用非絕緣的TO-220-2L或絕緣的TO-220F-2L包裝。這些產品有助於改善4K大銀幕液晶電視、投影機和多功能印表機的電源供應器效率,以及電信基地台和PC伺服器的工業設備。

 

標籤
相關文章

科銳發表商用50安培SiC整流器系列

2014 年 03 月 17 日

太克推出S540功率半導體測試系統

2016 年 11 月 08 日

ROHM SiC MOSFET/SBD成功導入Apex工控設備功率模組

2023 年 04 月 10 日

Imagination新推IMG CXM最小GPU

2023 年 06 月 07 日

TI SiC閘極驅動器提高牽引逆變器效率

2023 年 11 月 29 日

ST碳化矽數位電源解決方案獲肯微科技採用

2024 年 03 月 22 日
前一篇
追求極致寬頻 高通MWC強打異質聚合
下一篇
失之毫釐差之千里 微偏差蠶食良率不可輕忽