下世代功率半導體競技賽開打 GaN/SiC爭搶主流寶座

作者: 林苑卿 / 王智弘
2011 年 05 月 30 日
基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火,近期再度升溫,尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後,更讓SiC技術聲勢大漲;面對SiC技術急起直追,已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱,正積極朝向更高電壓市場邁進。
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