快閃記憶體設計技術之半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)，已開發出40奈米(nm)記憶體智慧財產權(IP)，首度使用此技術在汽車應用領域，並推出嵌入式快閃記憶體微控制器(MCU)。其將於2012年秋季開始供應樣品。
快閃記憶體金屬氮氧矽(MONOS)技術為可擴充技術，40奈米快閃記憶體測試元件的評估後，已證明其在資料保存、程式/抹除週期耐受性及程式設計時間三參數上，均能表現優異的特性。40奈米製程節點可整合多種與安全相關的功能性與通訊介面。
瑞薩電子的40奈米快閃記憶體IP，能保存資料20年，並最高可在170℃結合溫度下進行讀取。此外，程式碼快閃記憶體支援120MHz讀取速度，而資料快閃記憶體即使在125,000次程式/抹除週期後，仍可達到20年資料保存期。
瑞薩電子網址：www.tw.renesas.com
