生成式AI創造大量需求 美光搶推第二代HBM3記憶體

作者: 黃繼寬
2023 年 07 月 31 日
基於大規模語言模型(LLM)的生成式AI,不僅考驗處理器的運算效能,也對高頻寬記憶體(HBM)的容量跟頻寬帶來更高的要求。為搶占生成式AI所帶來的巨大商機,美光(Micron)近日發表其第二代HBM 3產品,藉由堆疊8層與12層DRAM,搭配更小的TSV間距,美光第二代HBM...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

布局5G手機市場 美光LPDDR5 DRAM開始量產

2020 年 02 月 10 日

東芝受「震」撼 三星有機可乘

2011 年 03 月 24 日

IoT商機滾滾 嵌入式記憶體需求暢旺

2013 年 08 月 19 日

TSV助臂力 3D NAND記憶體性能更上層樓

2013 年 11 月 11 日

調研:三星穩坐晶圓製造龍頭 前五大占全球產能53%

2020 年 02 月 17 日

DDR5標準正式發表 記憶體大廠超前布署升級商機

2020 年 07 月 16 日
前一篇
ROHM啟動「長期供貨計畫」
下一篇
2Q’23半導體矽晶圓出貨量回穩