製程技術就定位 GZO薄膜取代ITO有望
氧化鋅鎵(GZO)薄膜製程技術邁大步。找到材料稀少又昂貴的氧化銦錫(ITO)薄膜替代方案，已成觸控面板廠降低模組成本的重要途徑，因此，業者正加緊開發特性相近，價格僅ITO百分之一的GZO。目前在磁控濺鍍(MS)、離子鍍膜(RPD)及大氣壓電漿(AP)鍍膜技術發展漸臻成熟下，GZO透明導電膜(TCO)已展開試產。
工研院機械所先進製造和新技術組電漿應用技術部經理張加強表示，工研院正利用專利大氣壓電漿輔助化學氣相沉積(AP-PECVD)設備，發展GZO鍍膜與圖案化製程，以取代ITO薄膜充當觸控模組的TCO層，助力業者控管生產成本。該技術採用低溫電漿成形手法，毋須透過高溫化學反應或採用昂貴的真空幫浦；不僅大幅節省設備開支，亦可符合綠色製程規範，過程中不會產生任何有毒物質。
面對ITO貨源集中，導致觸控模組成本居高不下的問題，以GZO、導電高分子(PEDOT)或碳奈米管(CNT)等新材料取代ITO的發展已勢不可當。其中，GZO與ITO同為無機材料，電阻值、光穿透率表現相近，且價格極具吸引力，係目前最被看好的替代方案。
張加強透露，工研院已攜手台灣設備廠啟動GZO薄膜試產，可將厚度僅0.1毫米(mm)的GZO塗布於玻璃上，並將鎖定軟性背板，推行與捲對捲(Roll...
2012 年 09 月 05 日
